日媒：臺(tái)積電來(lái)日建廠可能面臨“內(nèi)需不足”
日本內(nèi)閣經(jīng)濟(jì)安全大臣岸田在上任首日記者招待會(huì)上強(qiáng)調(diào)，"我們將努力確保關(guān)鍵技術(shù)和物資的安全，防止技術(shù)外流"。
全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電14日宣布在日本建新工廠，這樣的時(shí)機(jī)恰到好處。日本索尼集團(tuán)和電裝將參與其中。日本政府將資助4000億至5000億日元，約占總投資總額的一半。然而，這是否真的與日本半導(dǎo)體的復(fù)興有關(guān)呢？
經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省從19年起吸引臺(tái)積電
臺(tái)積電進(jìn)軍日本是由臺(tái)積電CEO魏哲家在14日公布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)宣布的。在當(dāng)晚的新聞發(fā)布會(huì)上，岸田首相介紹“臺(tái)積電將進(jìn)行總額達(dá)1萬(wàn)億日元的大規(guī)模私人投資”，并表示“日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的必要性和自主性將提高，這將極大地促進(jìn)經(jīng)濟(jì)安全?！?他表示將把對(duì)臺(tái)積電的支持納入2021年追加預(yù)算，并在眾議院選舉后組織。
而且，隨著眾議院的解散，"臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭在日本的新工廠"的消息被大量報(bào)道，永田町一進(jìn)入選舉模式，岸田政府就獲得了支持。
眾所周知，經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在敦促臺(tái)積電進(jìn)入日本。兩年前，我們開始嘗試這種方法。最初，它的目標(biāo)是吸引5納米的尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)線，用于智能手機(jī)和PC，但去年5月，它決定在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建造。雖然臺(tái)積電在日本的擴(kuò)張計(jì)劃一度回到白紙上，但經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省并沒(méi)有放棄，而是吸引了28-22納米線。
臺(tái)積電的新工廠建在位于熊本縣索尼半導(dǎo)體廠的相鄰地點(diǎn)，主要用于PC、控制器和汽車部件等的邏輯半導(dǎo)體。新工廠明年將建成，計(jì)劃于2024年開始運(yùn)營(yíng)。
重回半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位樂(lè)觀嗎？
然而，經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省內(nèi)部有人表示"這將是恢復(fù)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)權(quán)的第一步"的聲音可能過(guò)于樂(lè)觀。雖然28-22納米不是"尖端"，但在目前日本是一個(gè)前所未有的先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域。日本領(lǐng)先的瑞薩電子也委托臺(tái)積電生產(chǎn)28納米以下的產(chǎn)品。新工廠生產(chǎn)的20納米邏輯半導(dǎo)體，除了索尼的CMOS圖像傳感器外，還為電裝公司開發(fā)汽車半導(dǎo)體。
然而，新工廠的生產(chǎn)能力似乎規(guī)模太大，不能滿足這些需求。
計(jì)劃開始三年后，如果國(guó)內(nèi)找不到新的大用戶，索尼和電裝將轉(zhuǎn)向出口。就這樣，人們開始質(zhì)疑4000億至5000億日元的巨額援助意味著什么。除了通過(guò)建造新工廠創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)外，預(yù)計(jì)還需要投入制造半導(dǎo)體所需的機(jī)床和化學(xué)品，但問(wèn)題是，外國(guó)公司的出口產(chǎn)品是否需要政府支持。
美光科技有限公司20日宣布，未來(lái)10年將投資超過(guò)1500億美元（約合17萬(wàn)億日元），以擴(kuò)大全球半導(dǎo)體生產(chǎn)。有報(bào)道稱，計(jì)劃投資 8000 億日元，在廣島工廠（廣島縣東廣島市）的場(chǎng)地內(nèi)新建 DRAM 工廠，臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。如果一個(gè)據(jù)說(shuō)能創(chuàng)造2000到3000個(gè)工作崗位的新工廠建成，日本政府是否也準(zhǔn)備為這個(gè)項(xiàng)目提供大量支持？
難忘過(guò)去成功經(jīng)驗(yàn)
企業(yè)沒(méi)有按照政府的期望行事。由于其前身通產(chǎn)省20多年來(lái)半導(dǎo)體政策的失敗，經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省應(yīng)該理解這句話。
縱觀歷史，日本半導(dǎo)體政策的一個(gè)成功例子是1976-1980年成立的“VLSI技術(shù)研究協(xié)會(huì)”。公共和私營(yíng)部門共同投資700億日元，行業(yè)公司派遣工程師進(jìn)行聯(lián)合研究。最后，我們成功在早期建立了在 80 年代后半期投入實(shí)際使用的 1 兆位 DRAM 的基礎(chǔ)技術(shù)。
然而，隨后的半導(dǎo)體政策接連失敗。進(jìn)入90年代，雖然半導(dǎo)體用戶的產(chǎn)品縮小了規(guī)模，個(gè)人電腦成為主角，但國(guó)內(nèi)制造商對(duì)過(guò)去的成功經(jīng)驗(yàn)感到迷醉，卻被一波又一波的轉(zhuǎn)型拖得體無(wú)完膚。
此外，隨著數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品的興起，系統(tǒng)LSI成為其核心戰(zhàn)場(chǎng)，世界半導(dǎo)體行業(yè)將轉(zhuǎn)向設(shè)計(jì)和制造分離。臺(tái)積電作為SoC最先進(jìn)的工廠，在轉(zhuǎn)型的間隙發(fā)展迅速。
與此同時(shí)，日立、三菱電機(jī)和NEC等日本半導(dǎo)體制造商正在分離其業(yè)務(wù)，以進(jìn)行重組。從 1999 年推出整合日立和 NEC DRAM 業(yè)務(wù)的爾必達(dá)內(nèi)存開始，日立和三菱電機(jī)于 2003 年成立了瑞薩科技，整合了系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)。2010年，從NEC分拆出來(lái)的NEC電子加入公司，成為現(xiàn)在的瑞薩電子。東芝一直堅(jiān)持這一舉措，但自15年結(jié)算問(wèn)題爆出以來(lái)，財(cái)務(wù)狀況迅速惡化，東芝于19年被迫將專門從事NAND閃存的凱俠控股公司分拆。
一系列的整合和分拆旨在將利潤(rùn)惡化的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與主體分離，因此沒(méi)有技術(shù)戰(zhàn)略。合并后成立的公司是緊密聯(lián)系的，組織內(nèi)部溝通不融洽，業(yè)績(jī)持續(xù)低迷。爾必達(dá)于12年申請(qǐng)申請(qǐng)使用《公司改造法》，但失敗了。13年，以美國(guó)美光公司為贊助商的重組計(jì)劃獲得批準(zhǔn)，公司名稱改為"美光日本"，總部遷至廣島工廠。
下一代半導(dǎo)體概念還沒(méi)落地
日本在全球半導(dǎo)體出貨量中所占的份額從1988年的52%下降到10年后 98年的26%，最近一直徘徊于10%左右。經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省在此期間也沒(méi)有看到日本制造商的下沉。與業(yè)界合作，日本再次實(shí)現(xiàn)了超級(jí)LSI技術(shù)研究聯(lián)盟的夢(mèng)想，并自2000年代初開始實(shí)施一系列項(xiàng)目，為下一代半導(dǎo)體開發(fā)做準(zhǔn)備。
2001年，兩個(gè)項(xiàng)目啟動(dòng)：朝日，從事電路線寬90-65納米一代LSI設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；MIRAI，負(fù)責(zé)65-45納米一代的工藝技術(shù)。此外，HALKA 項(xiàng)目繼續(xù)實(shí)施，旨在建立新的制造系統(tǒng)，以應(yīng)對(duì)多品種小批量生產(chǎn)。此外，11家日本領(lǐng)先的LSI制造商于2002年共同出資成立了"先進(jìn)SoC基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)（簡(jiǎn)稱ASPLA）"，旨在打造90納米一代的原型生產(chǎn)線。
如果我們將ASPLA原型生產(chǎn)線上建立的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)移植到日本制造商的大規(guī)模生產(chǎn)線上，我們本可以與臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng)。然而，由于參與下一代項(xiàng)目所需的工程師人數(shù)過(guò)多，現(xiàn)場(chǎng)一片混亂。此外，雖然每個(gè)制造商的團(tuán)隊(duì)都參與經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的項(xiàng)目，但公司在大規(guī)模生產(chǎn)生產(chǎn)線上仍然堅(jiān)持自己開發(fā)的制造工藝。
最終，這兩個(gè)概念都沒(méi)有落地，后果就是日本目前的半導(dǎo)體份額。這個(gè)項(xiàng)目有數(shù)百億日元的資助，但我不知道經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省做了什么。
回顧過(guò)去的半導(dǎo)體政策
半導(dǎo)體短缺現(xiàn)在是一個(gè)普遍的問(wèn)題，美國(guó)參議院在6月通過(guò)了一項(xiàng)法案，為半導(dǎo)體的生產(chǎn)和開發(fā)提供520億美元（約6萬(wàn)億日元）的補(bǔ)貼。臺(tái)積電決定在美國(guó)新建5納米以下的尖端工廠，包括GAFAM（谷歌、蘋果、Facebook、亞馬遜、微軟）以及補(bǔ)貼，這是因?yàn)橛写罅康漠a(chǎn)品消費(fèi)者。
日本不僅擁有最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，而且用戶也沒(méi)有5納米以下的大需求者，即使"上一代"的20納米，用戶數(shù)量也不盡相同。
除非我們復(fù)盤過(guò)去的政策，解釋日本工業(yè)的現(xiàn)狀，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行反思，否則很難就涉及巨額支出的新政策達(dá)成公眾共識(shí)，而不是打著"重歸"的旗號(hào)。
