砸下30億美元，Intel能靠美國制造重奪王座嗎？
2022-6-21 11:57:37??????點擊：
英特爾(Intel)不久前砸下30億美元，擴充位于美國奧勒岡州(Oregon)科技重鎮(zhèn)Hillsboro的DIX Mod3先進技術晶圓廠，目標是重新取得在半導體工藝技術上的領導地位。
在該廠的開幕儀式上，英特爾執(zhí)行長Pat Gelsinger重申該公司對美國在半導體研發(fā)領導地位的承諾。英特爾將這座占地近500英畝(EETT編按：約2.023平方千米)，位于Ronler Acres工業(yè)區(qū)的園區(qū)重新命名為“Gordon Moore Park”(參考文章上方大圖)，提醒世人摩爾定律(Moore’s Law)仍然有效──近年來，業(yè)界一直憂心摩爾定律已經(jīng)失去動力。
“自成立以來，英特爾一直致力于持續(xù)推進摩爾定律；”Gelsinger在一份新聞聲明中表示：“這個全新廠房空間將強化我們提供加速工藝技術藍圖的能力，以支持我們大膽的IDM 2.0 策略。奧勒岡州長期以來是我們全球半導體研發(fā)的核心重地。”
該據(jù)點是英特爾全球技術開發(fā)部門的總部，負責通過打造全新晶體管架構、晶圓工藝和封裝技術來推進摩爾定律，鞏固該公司的產(chǎn)品技術藍圖。奧勒岡州廠房預期能為從PC、云端基礎建設到5G網(wǎng)絡等應用提供基礎技術；該團隊約有1萬名員工，主要駐在Hillsboro當?shù)亍?br /> 這個團隊面臨的一個關鍵挑戰(zhàn)，是將芯片上的功能微縮到原子大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質金屬柵極(high-k metal gate)技術、三柵極(tri-gate) 3D晶體管和應變硅(strained silicon)等創(chuàng)新技術而備受肯定，而所有這些都是跟上摩爾定律的基礎。
“那些開創(chuàng)性的工藝創(chuàng)新都起源于奧勒岡州據(jù)點，隨著我們D1X廠房的最新擴展，該據(jù)點已經(jīng)做好提供下一代領先技術的準備；”英特爾技術開發(fā)部門總經(jīng)理Ann Kelleher表示：“半導體是美國技術領先地位、經(jīng)濟和供應鏈彈性的基礎，而英特爾是世界上唯一在美國擁有大部分工藝和封裝研發(fā)、以及大量尖端半導體組件生產(chǎn)的公司。”
英特爾在2021年宣布了雄心勃勃的工藝技術藍圖，目標是超越其競爭對手臺積電(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得領導地位。英特爾期望加速創(chuàng)新的步伐以及每年一次的進步節(jié)奏，在2025年之后能將創(chuàng)新技術運用于新產(chǎn)品。
英特爾的RibbonFET技術。 (來源：英特爾)
那些創(chuàng)新技術包括英特爾的環(huán)繞式柵極RibbonFET，即一種全新的3D晶體管架構；此外還有一種晶背電力傳輸技術PowerVia，以及高數(shù)值孔徑(NA)的極紫外光(EUV)微影。
通過這筆規(guī)模達30億美元擴充D1X據(jù)點的投資，英特爾工程師將擁有額外的27萬平方英尺(EETT編按：約25077.685㎡)無塵室空間，用于開發(fā)下一代硅工藝技術。英特爾也會將技術成果從Hillboro轉移至該公司位于全球的制造據(jù)點。
英特爾在美國奧勒岡州的廠房規(guī)模與人才是該公司全球據(jù)點中最大的，其位于Hillboro的4個園區(qū)員工總數(shù)近2萬2,000 名；此次擴充將使該公司在奧勒岡州的總投資超過520億美元。
而該公司的目標也包括取得一部份美國政府提供、總額達520億美元振興本土半導體制造預算。美國曾經(jīng)是世界上最大的芯片制造國，但目前僅占據(jù)全球半導體制造量約12%。美國半導體行業(yè)的衰落，通常被認為是國家安全的弱點。
英特爾表示，憑借其員工、由當?shù)爻邪毯凸探M成的龐大網(wǎng)絡、資本投資和其他下游影響，該公司每年的貢獻總計超過10.5萬個工作崗位，超過100億美元的勞動收入，以及190億美元的國內生產(chǎn)總值(GPD)。
在該廠的開幕儀式上，英特爾執(zhí)行長Pat Gelsinger重申該公司對美國在半導體研發(fā)領導地位的承諾。英特爾將這座占地近500英畝(EETT編按：約2.023平方千米)，位于Ronler Acres工業(yè)區(qū)的園區(qū)重新命名為“Gordon Moore Park”(參考文章上方大圖)，提醒世人摩爾定律(Moore’s Law)仍然有效──近年來，業(yè)界一直憂心摩爾定律已經(jīng)失去動力。
“自成立以來，英特爾一直致力于持續(xù)推進摩爾定律；”Gelsinger在一份新聞聲明中表示：“這個全新廠房空間將強化我們提供加速工藝技術藍圖的能力，以支持我們大膽的IDM 2.0 策略。奧勒岡州長期以來是我們全球半導體研發(fā)的核心重地。”
該據(jù)點是英特爾全球技術開發(fā)部門的總部，負責通過打造全新晶體管架構、晶圓工藝和封裝技術來推進摩爾定律，鞏固該公司的產(chǎn)品技術藍圖。奧勒岡州廠房預期能為從PC、云端基礎建設到5G網(wǎng)絡等應用提供基礎技術；該團隊約有1萬名員工，主要駐在Hillsboro當?shù)亍?br /> 這個團隊面臨的一個關鍵挑戰(zhàn)，是將芯片上的功能微縮到原子大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質金屬柵極(high-k metal gate)技術、三柵極(tri-gate) 3D晶體管和應變硅(strained silicon)等創(chuàng)新技術而備受肯定，而所有這些都是跟上摩爾定律的基礎。
“那些開創(chuàng)性的工藝創(chuàng)新都起源于奧勒岡州據(jù)點，隨著我們D1X廠房的最新擴展，該據(jù)點已經(jīng)做好提供下一代領先技術的準備；”英特爾技術開發(fā)部門總經(jīng)理Ann Kelleher表示：“半導體是美國技術領先地位、經(jīng)濟和供應鏈彈性的基礎，而英特爾是世界上唯一在美國擁有大部分工藝和封裝研發(fā)、以及大量尖端半導體組件生產(chǎn)的公司。”
英特爾在2021年宣布了雄心勃勃的工藝技術藍圖，目標是超越其競爭對手臺積電(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得領導地位。英特爾期望加速創(chuàng)新的步伐以及每年一次的進步節(jié)奏，在2025年之后能將創(chuàng)新技術運用于新產(chǎn)品。
英特爾的RibbonFET技術。 (來源：英特爾)
那些創(chuàng)新技術包括英特爾的環(huán)繞式柵極RibbonFET，即一種全新的3D晶體管架構；此外還有一種晶背電力傳輸技術PowerVia，以及高數(shù)值孔徑(NA)的極紫外光(EUV)微影。
通過這筆規(guī)模達30億美元擴充D1X據(jù)點的投資，英特爾工程師將擁有額外的27萬平方英尺(EETT編按：約25077.685㎡)無塵室空間，用于開發(fā)下一代硅工藝技術。英特爾也會將技術成果從Hillboro轉移至該公司位于全球的制造據(jù)點。
英特爾在美國奧勒岡州的廠房規(guī)模與人才是該公司全球據(jù)點中最大的，其位于Hillboro的4個園區(qū)員工總數(shù)近2萬2,000 名；此次擴充將使該公司在奧勒岡州的總投資超過520億美元。
而該公司的目標也包括取得一部份美國政府提供、總額達520億美元振興本土半導體制造預算。美國曾經(jīng)是世界上最大的芯片制造國，但目前僅占據(jù)全球半導體制造量約12%。美國半導體行業(yè)的衰落，通常被認為是國家安全的弱點。
英特爾表示，憑借其員工、由當?shù)爻邪毯凸探M成的龐大網(wǎng)絡、資本投資和其他下游影響，該公司每年的貢獻總計超過10.5萬個工作崗位，超過100億美元的勞動收入，以及190億美元的國內生產(chǎn)總值(GPD)。
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