MLCC選擇標準——不要盲目依靠工具選擇元器件
多層陶瓷片式電容器(MLCC)的體積很小，有利于實現小型化。然而，考慮ESD保護、EM干擾和熱管理等因素，以及與這些因素相關的典型特性和漂移，也是很重要的。雖然越來越多的開發人員使用數字工具來簡化選擇元器件的過程，但仍然需要考慮到上述各個方面，才能夠快速實現設計目標并避免不必要的重復設計。
首先，建議用戶在縮小尺寸時，不要簡單地沿用MLCC的現值組合，尤其是在電容(C值)和電壓方面，而是要根據應用的實際需求甚至單個元器件的功能來做出決定。理想情況下，應當考慮供應商的首選型款。除了C值和電壓外，其他的重要數值還包括阻抗和等效串聯電阻(ESR)。
特別是對于高電容(hi-cap)器件，即C值以μF為單位的MLCC產品，其直流偏置效應也是需要考慮的重要因素。直流偏置是基于施加的直流電壓而導致電容降低的效應。在額定電壓下，電容有可能下降到標稱值的20%左右，具體數值取決于元器件，因此在操作期間必須注意絕對最小C值。
影響直流偏置性能的另一個因素是工作溫度，如圖2的圖表所示，對于標稱值較高的較小結構MLCC電容，直流偏置的剩余電容和溫度遠遠高于標稱值較低的較大結構MLCC電容。
在針對標C值MLCC進行分級時，開發人員應根據基本指導數值(表1至3)進行選擇，這表示，在理想情況下應僅使用具有標準容差的首選數值。事實上，用戶已經不用再關注Z5U和Y5V陶瓷類型電容了，因為這類器件逐漸停產，實際上有些已經停產了。
除了直流偏置問題外，二類陶瓷電容器(如 X7R 和 X5R)還需要考慮溫度漂移和老化問題。
使用表4可以比較容易確定溫度漂移。例如，這個表格顯示X5R MLCC在–55°C至+85°C的溫度范圍內具有±15%的可預測溫度漂移。
MLCC——它們也會老化
老化現象會導致MLCC的電容值隨著時間的推移而損失，在每個對數尺度差距(per logarithmic decade)下的損失大約在1%到6%之間，這意味著我們可以按此估算1小時后、10小時后、100小時后的電容數值損失，依此類推。因此，MLCC的C值越高且內層越薄，MLCC就越容易老化。也就是說，與直流偏置和溫度漂移的影響相比，老化基本上是可以忽略不計的因素，盡管它在測量用于容差測試的C值時發揮關鍵作用。
與生物的老化不同，MLCC器件的老化是可逆轉的。適當的加熱處理可以逆轉老化效應。為了實現去老化，MLCC元器件通常會放置在+150°C溫度下1小時，然后靜置24小時。電焊操作也可以去老化。
從整體來看各種C值漂移，很明顯應該提倡使用標稱容差范圍為±10%的二類電容器， 而不是標準容差范圍為±5%的，即使一些供應商仍然提供和交付標準容差范圍為±5%的電容產品。這會引起對于是否遵守容差范圍的無意義辯論。在測量過程中，用戶經常無法滿足有關測量設備和測量條件的要求。例如測量電壓(通常定義為1.0 V的有效值)在測量過程中出現下降，從而導致顯示的電容值過低。
最好根據電壓要求留有余地
指定電壓通常是直流電壓(即使沒有明確標示)。如果該數值為交流電壓則會標明，例如“250 V AC”。供應商通常會在其詳細數據表或規格/應用信息中提供其他的詳細信息，例如與紋波電流或峰峰值相關的信息。需要注意的是，具有相同C 值但介電強度更高(不考慮可預測性或錯誤率方面)的MLCC往往具有更厚的內層，從而減弱了直流偏置效應。
也就是說，一些供應商繼續為目前支持50 V電壓的電容器提供較低電壓規格。 在這兩種情況中，規格超過電壓要求都不是問題，例如，對于16V電壓要求，可以使用指定規范電壓為25 V或50 V的MLCC電容器。
除了此處考慮的基本參數外，在選擇MLCC元器件時還有許多其他方面的因素，例如，取決于應用和使用領域的所需質量水平或特性。此類特性可能包括汽車等級要求(通常符合AEC-Q200標準)或軟端接要求(也稱為flexiterm、抗撓裂、樹脂外部電極和聚合物端接，以及其他類似表達)，可以防止在彎曲PCB時形成明顯可見的裂縫(圖 4)。
實現小型化的動力
小型化背后的動機還有其他含義；雖然業界一直推動現代電子產品提供越來越多的性能以滿足要求，這日益限制了PCB上的空間，然而，現今推動小型化的主要因素更有可能是供貨和成本效益(圖5)，尤其是在供應商之間。對于開發人員來說，這意味著他們越來越需要適應供應商的步伐，如果他們想保持靈活性和成本效益，就必須留出足夠的余地，以便在需要時可找到替代品，而雙來源采購是實現這一目標的關鍵。在充滿挑戰的市場條件下尤其如此，這種情況總是會出現，即使只是暫時的。
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