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昨日晚間，中芯國(guó)際公布了一則重磅消息。

根據(jù)公司公告顯示，中芯國(guó)際根據(jù)批量采購(gòu)協(xié)議已于2020年3月16日至2021年3月2日的12個(gè)月期間就購(gòu)買ASML產(chǎn)品與ASML集團(tuán)簽訂購(gòu)買單。該訂單的總價(jià)約為12億美元，支付方面，發(fā)出訂單后先首期付款30%，余款在產(chǎn)品收到后支付。

由于有關(guān)ASML購(gòu)買單于香港上市規(guī)則第14章規(guī)定的一個(gè)或多個(gè)適用的百分比率高于5％但低于25％，ASML購(gòu)買單構(gòu)成本公司的須予披露交易，須遵守香港上市規(guī)則第14章的公告規(guī)定。
公告顯示，中芯國(guó)際于2021年2月1日與ASML上海簽訂了經(jīng)修訂和重述的ASML批量采購(gòu)協(xié)議，據(jù)此，ASML批量采購(gòu)協(xié)議的期限從原來的2018年1月1日至2020年12月31日延長(zhǎng)至從2018年1月1日至2021年12月31日。

中芯國(guó)際根據(jù)批量采購(gòu)協(xié)議已于2020年3月16日至2021年3月2日的12個(gè)月期間就購(gòu)買用于生產(chǎn)晶圓的ASML產(chǎn)品與ASML集團(tuán)簽訂購(gòu)買單。

公告還顯示，為應(yīng)對(duì)客戶的需要，中芯國(guó)際將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)能、把握市場(chǎng)商機(jī)及增長(zhǎng)。批量采購(gòu)協(xié)議及ASML購(gòu)買單乃于本公司正常業(yè)務(wù)過程中就購(gòu)置用于生產(chǎn)晶圓（為本公司主要業(yè)務(wù)）的相關(guān)機(jī)器作出。由于ASML批量采購(gòu)協(xié)議的期限已到期，本公司簽訂經(jīng)修訂和重述的ASML批量采購(gòu)協(xié)議。董事認(rèn)為，批量采購(gòu)協(xié)議及ASML購(gòu)買單各自的條款公平合理，符合本公司及其股東整體的利益。

中芯國(guó)際是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國(guó)內(nèi)地技術(shù)最先進(jìn)全面、配套最完善、規(guī)模最大、跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的集成電路制造企業(yè)，提供0.35微米到14納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。目前中芯國(guó)際在上海建有一座300mm晶圓廠、一座200mm晶圓廠和一座實(shí)際控股的300mm先進(jìn)制程晶圓合資廠；在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm晶圓廠；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠；在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠。

本次簽訂合約的另一方ASML是在荷蘭注冊(cè)成立的公司，ASML是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商之一，向全球芯片制造商提供硬件、軟件及服務(wù)。其最為先進(jìn)的技術(shù)就是EUV光刻機(jī)，能用于生產(chǎn)5nm及以上的先進(jìn)工藝芯片。

是否包含EUV光刻機(jī)仍是未知數(shù)

中芯國(guó)際作為中國(guó)最先進(jìn)及最大的集成電路制造商，其生產(chǎn)芯片最為重要的設(shè)備之一就是光刻機(jī)。光刻機(jī)是芯片制造中紫外線曝光環(huán)節(jié)所需要的設(shè)備，是生產(chǎn)的核心，其工作原理類似膠片相片沖洗，而這也決定了芯片制程工藝。

值得一提的是，雖然此次合約簽訂表明了中芯國(guó)際后續(xù)還可以向ASML訂購(gòu)光刻機(jī)設(shè)備，但并未透露可訂購(gòu)光刻機(jī)的具體型號(hào)。2020年年底，美國(guó)將中芯國(guó)際列入實(shí)體清單時(shí)明確表示，將原則上拒絕向其出口EUV等支持先進(jìn)制程開發(fā)的技術(shù)。

此外，在3月1日的報(bào)道中，中芯國(guó)際已獲得美國(guó)商務(wù)部、國(guó)防部、能源部和國(guó)務(wù)院四部委的批準(zhǔn)，允許美領(lǐng)先設(shè)備廠商對(duì)中芯國(guó)際供應(yīng)14nm及以上（14nm及28等成熟工藝）設(shè)備的供應(yīng)許可。但消息中并未提到EUV光刻機(jī)也獲得批準(zhǔn)，同時(shí)，對(duì)于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的出口許可，暫無進(jìn)展。

在2020年10月舉辦的ASML財(cái)報(bào)會(huì)議上的視頻采訪中，ASML CFO Roger Dassen提到了與中芯國(guó)際等中國(guó)客戶的業(yè)務(wù)情況，他表示一些情況下出口光刻機(jī)是不需要許可證的。

Roger Dassen指出，按照該司對(duì)美國(guó)新規(guī)的整體理解，如果阿斯麥從荷蘭向中國(guó)買家供應(yīng)DUV光刻系統(tǒng)，無需出口許可證。但是直接出口涉及到美國(guó)方面的零部件及設(shè)備，阿斯麥則必須提交出口申請(qǐng)，待獲批后才能進(jìn)行正常買賣。

換句話說，一般的光刻機(jī)包括DUV光刻機(jī)在內(nèi)的都可以賣，但EUV光刻機(jī)必須要獲得許可證。

DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)有什么區(qū)別？簡(jiǎn)單來說，DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。兩種不同的光源讓光刻機(jī)獲得了不同的曝光能力，從而獲得不一樣的工藝制程范圍。

DUV光刻機(jī)最多只能做到25nm，英特爾曾憑借雙工作臺(tái)的模式做到了10nm，但是卻無法達(dá)到10nm以下，后來胡正明教授（梁孟松的老師）發(fā)明了FinFET工藝之后，極盡所能的壓榨了這臺(tái)機(jī)器的潛能，讓它走到了7nm制程。

但是，即使采用了FinFET工藝，芯片再想往5nm、3nm先進(jìn)工藝?yán)^續(xù)延伸，那就不得不使用EUV光刻機(jī)了。因此，DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)的價(jià)格差別也很大，DUV光刻機(jī)的價(jià)格為2000萬-5000萬美金／臺(tái)，而EUV的價(jià)格是1-3億美金／臺(tái)。

那么，ASML此番表態(tài)也等于是表明了自己的態(tài)度，一般的光刻機(jī)可以賣給你，但是好又貴的EUV光刻機(jī)，想賣給中國(guó)卻是有心無力。

不過，眼下能夠得到官方確認(rèn)的光刻機(jī)訂單，無疑是一則好消息。在中芯國(guó)際此前公布的財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)中顯示，14納米及以上成熟制程對(duì)中芯國(guó)際營(yíng)收占比最大。不管是此次供貨許可證順利獲批，還是接下來順利與ASML續(xù)簽訂單的消息，都意味著中芯國(guó)際的經(jīng)營(yíng)和業(yè)績(jī)將恢復(fù)到正常，也說明中芯國(guó)際和美國(guó)相關(guān)部門的溝通與合作重新建立，為中芯國(guó)際和美國(guó)企業(yè)未來的進(jìn)一步合作消除了障礙。能夠有效緩解中國(guó)芯片產(chǎn)能緊張的現(xiàn)狀，為中國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司的快速發(fā)展提供了產(chǎn)能保障。

全球芯片緊缺，中芯國(guó)際積極布局

如今全球芯片供需失衡，先后傳出車用芯片、手機(jī)芯片缺貨的消息，芯片產(chǎn)業(yè)受損的影響已經(jīng)引起了全球多國(guó)注意，中美等芯片大國(guó)相繼出臺(tái)對(duì)應(yīng)措施保證本土芯片平穩(wěn)發(fā)展。對(duì)于中芯國(guó)際來說，在這個(gè)芯片緊缺關(guān)鍵時(shí)期，公司走下的每一步都頗為重要。

前不久，中芯國(guó)際聯(lián)合國(guó)家大基金二期、北京亦莊投資在北京建設(shè)的超級(jí)晶圓廠中芯京城項(xiàng)目正式啟動(dòng)，該項(xiàng)目斥資500億，擬2024年完工。

目前，中芯國(guó)際成熟制程業(yè)務(wù)發(fā)展穩(wěn)定增長(zhǎng)，公司在電源管理、超低功耗、射頻、圖像傳感、指紋識(shí)別，特殊存儲(chǔ)器等產(chǎn)品平臺(tái)上，特別是0.15／0.18微米，65／55納米，45／40納米等工藝節(jié)點(diǎn)上，達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先的水平，并且實(shí)現(xiàn)了0.13微米銅制程和0.15／0.18微米鋁制程8寸與12寸工廠制成產(chǎn)品平臺(tái)的互轉(zhuǎn)，在產(chǎn)品質(zhì)量和客戶服務(wù)上都有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，提升了公司的盈利能力。MCU和高壓驅(qū)動(dòng)器芯片的產(chǎn)量也在不斷的成長(zhǎng)。

在被美國(guó)列入實(shí)體清單的影響下，2021年經(jīng)營(yíng)存在不確定性因素，這也對(duì)中芯國(guó)際先進(jìn)制程造成不小影響。在先進(jìn)制程方面，中芯國(guó)際FinFET取得了不錯(cuò)的成績(jī)，N＋1進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。但是在外部因素的影響下，去年四季度起FinFET產(chǎn)能利用率不足，爬坡需要時(shí)間，收入貢獻(xiàn)尚未達(dá)到預(yù)期水準(zhǔn)，折舊又對(duì)公司整體盈利造成了負(fù)擔(dān)。

對(duì)此，中芯國(guó)際在此前投資者調(diào)研報(bào)告中表示，對(duì)待先進(jìn)制程：第一，要保障生產(chǎn)連續(xù)性，將繼續(xù)與供應(yīng)商推進(jìn)出口準(zhǔn)證的申請(qǐng)。第二，謹(jǐn)慎擴(kuò)充產(chǎn)能。去年年底，中芯國(guó)際完成了1萬5千片安裝產(chǎn)能的目標(biāo)，但離經(jīng)濟(jì)規(guī)模尚遠(yuǎn)。如需進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)，還需要走出口許可申請(qǐng)流程。第三，中芯國(guó)際考慮加強(qiáng)第一代、第二代FinFET多元平臺(tái)開發(fā)的布建，并拓展平臺(tái)的可靠性及競(jìng)爭(zhēng)力。