臺積電3000億新臺幣工廠確認明日開建，順勢闖入高端封測市場
2020-6-30 21:42:49??????點擊：
與非網 6 月 30 日訊，據悉，臺積電已確認將在苗栗縣竹南科學園區興建總面積 14.3 公頃的先進制程封測廠。該封測廠預計總投資額約新臺幣 3000 億元（約合人民幣 716.2 億元），將于 7 月 1 日施工，計劃明年中第一期產區運轉，估計將可創造 1000 個以上就業機會。未來，預計臺積電將會吞噬一部分封測市場。
臺積電于 2012 年以新臺幣 32 億元標購竹南科學園區用地，早期原本規劃興建 18 吋晶圓廠，后因應國際市場情勢，設廠計劃延緩轉朝先進封測廠，以高端制程技術及封裝測試服務，提高國際競爭優勢。
臺積電作為全球最大的純晶圓代工廠，此之前分別在臺灣桃園、新竹、臺中和臺南設有先進的 IC 封裝和測試工廠，在中國南京和上海也設有工廠。根據臺積電官網顯示，目前為止，臺積電晶圓廠包括 6 個 12 英寸晶圓廠，6 個 8 英寸晶圓廠和 1 個 6 英寸晶圓廠。此次建廠目的在于助力臺積電進軍高端 IC 封裝測試服務，以提供具有先進 3D 封測技術的一站式服務。
在 2012 年，TSMC 與 Xilinx 一起推出了當時最大的 FPGA，它由四個相同的 28nm FPGA 芯片并排安裝在硅中介層上。他們還開發了硅通孔（TSV），通過微凸點和再分布層（RDL）將這些構件相互連接。臺積電基于其構造，將該集成電路封裝解決方案命名為“基片上晶圓封裝”（CoWoS）。這種基于 block 和 EDA 支持的封裝技術已成為高性能和高功率設計的行業標準。當今最常見的應用是將 CPU / GPU / TPU 與一個或多個高帶寬內存（HBM）組合在一起。m.xx99av.com
臺積電于 2017 年宣布了集成式 FanOut 技術（InFO）。它使用聚酰胺薄膜代替 CoWoS 中的硅中介層，從而降低了單位成本和封裝高度，這兩項都是移動應用的重要標準。臺積電已經出貨了數千萬個用于智能手機的 InFO 設計。
臺積電于 2019 年推出了集成芯片系統（SoIC）技術。使用前端（晶圓廠）設備，TSMC 可以非常精確地對準，然后使用許多間距狹窄的銅焊盤進行壓焊設計，以進一步減小形狀系數，互連電容和功率。
InFO 通常被用于對成本更加敏感且功耗較低的市場，除此之外，還有一些其他領域也可以用到 InFO。SoIC 技術提供了用于集成到 CoWoS 和 / 或 InFO 設計中的多管芯模塊。
臺積電的最新創新，SoIC 技術是將多個 dice 堆疊到“ 3D 構件”（又稱為“ 3D 小芯片”）中的一種非常強大的方法。如今，在垂直堆疊的芯片中，利用 SoIC 技術每 mm2 能夠實現約 10,000 個互連。每平方毫米 100 萬個互連的開發工作正在進行中。3D-IC 愛好者（包括我自己）一直在尋找一種封裝方法，這種方法能夠實現這種細粒度的互連，進一步減少形狀因素，消除帶寬限制，簡化模具堆的熱管理，并將大型、高度并行的系統集成到集成電路封裝中。顧名思義，即“ System on IC”，該技術可以滿足這些挑戰性的要求。SoIC 和 SoIC +令人印象深刻的功能將在此處進一步說明。臺積電的 EDA 合作伙伴正在努力通過用戶友好的設計方法來補充該技術。我希望 IP 合作伙伴能夠盡快提供 SoIC 就緒的小芯片和仿真模型，以方便用戶地集成到 CoWoS 和 InFO 設計中。
借助上述封裝技術，臺積電正在率先對半導體業務進行另一項變革。CoWoS，InFO 尤其是 SoIC 使半導體和系統供應商能夠從當今較低復雜度（和較低價值）的組件級 IC 遷移到 IC 封裝中非常高復雜度和高價值的系統級解決方案。這三種先進的 IC 封裝解決方案正在加速一個重要的行業趨勢：IC 和系統價值創造的很大一部分正從芯片轉移到封裝。
臺積電于 2012 年以新臺幣 32 億元標購竹南科學園區用地，早期原本規劃興建 18 吋晶圓廠，后因應國際市場情勢，設廠計劃延緩轉朝先進封測廠，以高端制程技術及封裝測試服務，提高國際競爭優勢。
臺積電作為全球最大的純晶圓代工廠，此之前分別在臺灣桃園、新竹、臺中和臺南設有先進的 IC 封裝和測試工廠，在中國南京和上海也設有工廠。根據臺積電官網顯示，目前為止，臺積電晶圓廠包括 6 個 12 英寸晶圓廠，6 個 8 英寸晶圓廠和 1 個 6 英寸晶圓廠。此次建廠目的在于助力臺積電進軍高端 IC 封裝測試服務，以提供具有先進 3D 封測技術的一站式服務。
在 2012 年，TSMC 與 Xilinx 一起推出了當時最大的 FPGA，它由四個相同的 28nm FPGA 芯片并排安裝在硅中介層上。他們還開發了硅通孔（TSV），通過微凸點和再分布層（RDL）將這些構件相互連接。臺積電基于其構造，將該集成電路封裝解決方案命名為“基片上晶圓封裝”（CoWoS）。這種基于 block 和 EDA 支持的封裝技術已成為高性能和高功率設計的行業標準。當今最常見的應用是將 CPU / GPU / TPU 與一個或多個高帶寬內存（HBM）組合在一起。m.xx99av.com
臺積電于 2017 年宣布了集成式 FanOut 技術（InFO）。它使用聚酰胺薄膜代替 CoWoS 中的硅中介層，從而降低了單位成本和封裝高度，這兩項都是移動應用的重要標準。臺積電已經出貨了數千萬個用于智能手機的 InFO 設計。
臺積電于 2019 年推出了集成芯片系統（SoIC）技術。使用前端（晶圓廠）設備，TSMC 可以非常精確地對準，然后使用許多間距狹窄的銅焊盤進行壓焊設計，以進一步減小形狀系數，互連電容和功率。
InFO 通常被用于對成本更加敏感且功耗較低的市場，除此之外，還有一些其他領域也可以用到 InFO。SoIC 技術提供了用于集成到 CoWoS 和 / 或 InFO 設計中的多管芯模塊。
臺積電的最新創新，SoIC 技術是將多個 dice 堆疊到“ 3D 構件”（又稱為“ 3D 小芯片”）中的一種非常強大的方法。如今，在垂直堆疊的芯片中，利用 SoIC 技術每 mm2 能夠實現約 10,000 個互連。每平方毫米 100 萬個互連的開發工作正在進行中。3D-IC 愛好者（包括我自己）一直在尋找一種封裝方法，這種方法能夠實現這種細粒度的互連，進一步減少形狀因素，消除帶寬限制，簡化模具堆的熱管理，并將大型、高度并行的系統集成到集成電路封裝中。顧名思義，即“ System on IC”，該技術可以滿足這些挑戰性的要求。SoIC 和 SoIC +令人印象深刻的功能將在此處進一步說明。臺積電的 EDA 合作伙伴正在努力通過用戶友好的設計方法來補充該技術。我希望 IP 合作伙伴能夠盡快提供 SoIC 就緒的小芯片和仿真模型，以方便用戶地集成到 CoWoS 和 InFO 設計中。
借助上述封裝技術，臺積電正在率先對半導體業務進行另一項變革。CoWoS，InFO 尤其是 SoIC 使半導體和系統供應商能夠從當今較低復雜度（和較低價值）的組件級 IC 遷移到 IC 封裝中非常高復雜度和高價值的系統級解決方案。這三種先進的 IC 封裝解決方案正在加速一個重要的行業趨勢：IC 和系統價值創造的很大一部分正從芯片轉移到封裝。
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