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近日有消息稱，臺積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進軍1nm工藝了。
根據(jù)臺積電的規(guī)劃，今年會量產(chǎn)5nm工藝，2022年則會量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。
2nm之后呢？
此前有消息稱Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商正在攻克1.4nm工藝，預(yù)計2027年左右會出現(xiàn)成果。
1.4nm之后則1nm工藝，這個節(jié)點曾經(jīng)被認為是摩爾定律的物理極限，是無法實現(xiàn)的，但是臺積電曾在其股東大會上表態(tài)，正在一步步逼近1nm工藝。
1nm工藝不僅僅是這個數(shù)字看上重要，它還有更深的含義——1nm級別的工藝有可能是硅基半導(dǎo)體的終結(jié)，再往下走就需要換材料了，比如納米片、碳納米管等等，2017年IBM領(lǐng)銜的科研團隊就成功使用碳納米管制造出了1nm晶體管。在2019年的Hotchips會議上，臺積電研發(fā)負責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森（Philip Wong）在演講中就談到過半導(dǎo)體工藝極限的問題，他認為到了2050年，晶體管來到氫原子尺度，即0.1nm。
據(jù)悉，臺積電已經(jīng)啟動了先導(dǎo)計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍?zhí)秷@區(qū)。10月31日消息，據(jù)臺灣《工商時報》報道，繼竹科2nm廠之后，臺積電將啟動先導(dǎo)計劃，預(yù)計最新2nm以下（1nm）制程擬落腳新竹科學(xué)園區(qū)轄下的桃園龍?zhí)秷@區(qū)。
對此，竹科管理局長王永壯回應(yīng)稱，關(guān)于個別廠商布局情況，在廠商宣布之前不便透露，但單純以龍?zhí)秷@區(qū)來說，第一期事業(yè)專用區(qū)用地已差不多滿了，第二期主要規(guī)劃為公園、綠地開放空間，未來若有新廠想要進駐、設(shè)廠，確實要展開第三期基地評估規(guī)劃工作。按照這個情況，臺積電已經(jīng)為1nm做規(guī)劃了，正式量產(chǎn)1nm工藝可能要到2027年去了。
不過真正量產(chǎn)1nm還需要很長時間，其中關(guān)鍵的設(shè)備就是下一代EUV光刻機，要升級下一代的高NA（數(shù)值孔徑）標準，從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著更分辨率更高，是3nm之后的工藝必備的條件。
按照ASML的計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最快明年就開始出貨，2025年后達到正式量產(chǎn)能力，售價將達到4億美元以上。