安森美SiC功率模塊助力臺達(dá)太陽能光伏逆變器高效工作
2020-8-3 15:01:00??????點(diǎn)擊：
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出一款適用于太陽能逆變器應(yīng)用的全SiC功率模塊，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani說：“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場。安森美半導(dǎo)體開發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統(tǒng)能效的需求，并證實(shí)SiC技術(shù)的成熟。”
臺達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說：“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實(shí)現(xiàn)最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應(yīng)商合作。選用安森美半導(dǎo)體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因?yàn)樗鼈兲峁┩愖罴训男阅埽俳Y(jié)合我們在高能效電力電子領(lǐng)域的獨(dú)特專知，使我們的產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)高達(dá)98.8％的峰值能量轉(zhuǎn)換能效。”
作為安森美半導(dǎo)體不斷增長的基于寬禁帶(WBG)技術(shù)的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件，功率模塊提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而支持使用更高的開關(guān)頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據(jù)客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項(xiàng)。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
關(guān)鍵字：安森美 SiC
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級副總裁Asif Jakwani說：“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場。安森美半導(dǎo)體開發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統(tǒng)能效的需求，并證實(shí)SiC技術(shù)的成熟。”
臺達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說：“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實(shí)現(xiàn)最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應(yīng)商合作。選用安森美半導(dǎo)體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因?yàn)樗鼈兲峁┩愖罴训男阅埽俳Y(jié)合我們在高能效電力電子領(lǐng)域的獨(dú)特專知，使我們的產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)高達(dá)98.8％的峰值能量轉(zhuǎn)換能效。”
作為安森美半導(dǎo)體不斷增長的基于寬禁帶(WBG)技術(shù)的功率集成模塊(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對逆變器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。 通過使用SiC器件，功率模塊提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而支持使用更高的開關(guān)頻率，有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用，可根據(jù)客戶的喜好，采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項(xiàng)。
NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。
關(guān)鍵字：安森美 SiC
